Der 32P-Implanter ist ein kompakter Beschleuniger, der einen Ionenstrahl des radioaktiven Phosphorisotops 32P liefert. Mittels der Implantation dieses Isotops, welches eine Halbwertszeit von 14,3 Tagen hat, lassen sich Oberflächenschichten von Materialien oder Partikel, wie Nanoteilchen, radioaktiv markieren. Anwendungen dieser Markierung finden sich beispielsweise im medizinischen oder molekularbiologischen Bereich, in Untersuchungen über den Abrieb von Verschleißteilen und in weiteren Bereichen, bei denen Substanzen mittels der 32P-Markierung als Tracer eingesetzt werden.

Der Implanter ist mit einer ECRIS (Elektron-Cyclotron-Resonanz-Ionsource) als Ionenquelle ausgestattet, die das mittels Neutronenaktivierung erzeugte 32P enthält. Mit einer Beschleunigungsspannung von typischerweise 60 kV wird ein Ionenstrahl erzeugt, der über Flächen von mehreren Quadratzentimetern gerastert werden kann, wodurch eine lateral homogen Verteilung erreicht wird. Die Eindringtiefen liegen je nach Material bei bis zu 100 nm. Mittels einer Online-Messung der Betastrahlung wird der Aktivitätsanstieg der Proben während der Implantation überwacht.

• Huttel et al., 2002: Fabrication of radioactive stents by ion implantation. Review of Scientific Instruments 73.