Hochenergetische Implantation von Elementen der vierten Hauptgruppe in Diamant

Hochenergetische Ionenimplantation wird in diesem Projekt dazu genutzt um Farbzentren in Diamant, basierend auf der Inkorporation von Elementen der vierten Hauptgruppe, zu erzeugen. Das Ziel ist es tief im Diamant (>50nm) liegende Zentren herzustellen um den Einfluss von Ladungsfluktuationen an der Diamantoberfläche zu minimieren. Anschließend werden die Proben optisch untersucht und bezüglich der Homogenität der Emissionswellenlänge einzelner Emitter und ihrer Kohärenzeigenschaften charakterisiert.

Gefördert durch

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Abschlussarbeiten

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