Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik: Projekte

Fokussierte Ionenstrahl-Implantation von seltenen Erdele-menten in Halbleiter-Nanostrukturen

Das Projekt umfasst die fokussierte Ionenstrahl-Implantation von Metallionen aus der Gruppe der selte-nen Erden in Halbleiter-Nanostrukturen. Wir konzentrieren uns insbesondere auf den Einbau von Erbi-um-Ionen (Er3+) in Gallium-Arsenid (GaAs). Die optischen Übergänge des Erbiums sollten zu einer Emissi-on von elektro-magnetischer Strahlung bei einer Wellenlänge von 1,54 µm führen. Um die optische Untersuchung dieser Emission besser quantifizieren zu können, ist es entscheidend, nach der Implanta-tion den Einbau des Erbiums in GaAs qualitativ und quantitativ nachzuvollziehen. Hierzu sollen gezielt hochempfindliche Analysemethoden am RUBION genutzt werden. Unter anderem werden Elementana-lysen mit Hilfe von PIXE durchgeführt. Andere Forschungen auf diesem Gebiet haben gezeigt, dass sich durch eine zusätzliche flächige Implantation weiterer Elemente, die Lumineszenz des Erbiums steigern lässt. Hierzu wird u. a. Sauerstoff flächig auf die GaAs:Er Proben implantiert und anschließend die Lumi-neszenz untersucht.