Dieses Projekt ist abgeschlossen

Vergrabene Schichten in Diamant (AG Lorke, Universität Duisburg-Essen)

Durch Beschuss einer Diamantschicht mit Kohlenstoffionen mit einer kinetischen Energie von 100 𝑘𝑒𝑉 soll eine graphitische Schicht als Gate für einen FET erzeugt werden, um so eine elektrische Möglichkeit zur Steuerung und Stabilisierung einzelner NV-Zentren zu realisieren.

Gefördert durch

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