H diffusion in ITO

Obwohl ITO (Indium-Zinn-Oxid) ein weit verbreitetes transparentes leitfähiges Oxid ist, wurde die H-Diffusion in ITO bisher nicht im Detail untersucht. Insbesondere für die Anwendung als Kontaktschicht in photovoltaischen Geräten wurden und werden ITO-Schichten intensiv genutzt. Für die meisten PV-Bauelemente spielt Wasserstoff eine entscheidende Rolle, da er die Passivierung der Si-Oberfläche beeinflusst. Daher ist die Bewegung von H-Atomen in ITO-Schichten für das Verständnis der Leistung von PV-Bauelementen von Bedeutung. Daher planen wir, Wasserstoff in ITO-Schichten zu implantieren. Mit Hilfe der Sekundärionen-Massenspektroskopie (SIMS) und der Effusionsspektroskopie wird die Diffusion von Wasserstoff in den Schichten untersucht und der Diffusionskoeffizient anhand der Arrhenius-Abhängigkeit des Tiefenprofils ermittelt. Parameter: * der H-Peak sollte in einer Tiefe von etwa 0,1-0,15µm in die 0,6µm dicken ITO-Schichten (ITO auf c-Si-Substrat) implantiert werden * Implantationen: 10E15 und 3E15/cm^2