Herstellung von PbV-Zentren in Diamant

Einzigere Gruppe-IV-Defekte in Diamant sind attraktive Spin-Qubits mit hervorragenden optischen Eigenschaften, die sie für die Realisierung effizienter Langstrecken-Verschränkungsprotokolle einzigartig machen. Insbesondere Silizium-Fehlstellen-Zentrum (SiV) und Germanium-Fehlstellen-Zentrum (GeV) sind spektral stabil und besitzen einen hohen Debye-Waller-Faktor (~70%). SiV und GeV haben jedoch eine kurze Spin-Kohärenzzeiten bei 2 K und erfordern eine Kühlung bis einige zehn Millikelvin, um sie zu verlängern. Andererseits wird erwartet, dass Gruppe-IV-Defekte, die auf den schwereren Elementen wie Sn und Pb basieren, bereits bei 2 K eine lange Spin-Kohärenzzeiten aufweisen, wodurch nahezu ideale optische Eigenschaften erhalten bleiben. Daher ist das Engineering dieser Defekte eine höchst wünschenswerte Aufgabe. In diesem Projekt planen wir, die Pb-Fehlstellen-Zentrum in Diamant durch die Implantation von Bleiionen mit unterschiedlichen Energien herzustellen und ihre optischen und Elektronenspineigenschaften zu

Gefördert durch

Diesem Projekt ist keine Förderung zugeordnet.

Publikationen

Dieses Projekt hat keine Publikationen

Abschlussarbeiten

Dieses Projekt hat keine Abschlussarbeiten