Quantifizierung von Sauerstoff, Vanadium und Dotierstoffen (M) in V-M-O Dünnschichtbibliotheken

VO2 ist aufgrund seines Phasenübergangs von Halbleiter zu Metall von Interesse. Die Elmentaladdition kann die Übergangseigenschaften von VO2 modulieren. Um den Effekt der Elementdotierung systematisch zu untersuchen, werden V-M-O-Dünnschichtbibliotheken mit kontinuierlicher Verteilung der Zusammensetzung durch Magnetron-reaktives Co-Sputtern hergestellt. Die Dotierstoffkonzentration (M) wird durch Rutherford-Rückstreuspektrometrie (RBS) bestimmt. Zusätzlich wurde berichtet, dass die Stöchiometrie von VOx, z. B. das Verhältnis von Sauerstoff zu Metallen, auch die Übergangseigenschaften beeinflussen kann.Um die Sauerstoffmenge zu schätzen, wird die Kernreaktionsanalyse (NRA) an den Bibliotheken durchgeführt.

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