Wasserstoff Quantifizierung von ALD-ZnO hergestellt mit deuterierten Precursoren

ZnO Schichten die mittels Atomlagenabscheidung (ALD) hergestellt wurden sind sehr gut elektrisch leitfähig, obwohl keine Dotanden bewusst zugesetzt werden. ALD-ZnO ist ein In-freies transparentes leitfähiges Material für Anwendungen in der Optoelektronik. Es wurde kürzlich auch als Ladungsträger-selektiver passivierender Kontakt für Silicium Solarzellen vorgeschlagen. Die Leitfähigkeit von ZnO Volumenkristallen wurde sowohl mittels intrinsischer Punktdefekte als auch mittels Wasserstoff erklärt. Für ALD-ZnO, das um Größenordnungen besser elektrisch leitfähig ist, ist die Ursache allerdings noch ungeklärt. In einer früheren Arbeit haben wir die Gesamtmenge des Wasserstoffs in hochleitfähigem ALD-ZnO mittels nuklearer Reaktionsanalyse (NRA) am RUBION auf ~1 at% bestimmt [J. Appl. Phys. 122, 025306 (2017)]. Da jedoch beide ALD-Precursoren die man braucht, um ZnO abzuscheiden (Diethylzink und Wasser) Wasserstoff enthalten, ist unklar welcher davon den Hauptteil des Wasserstoffs in die Schicht einbaut und damit ve

Gefördert durch

Diesem Projekt ist keine Förderung zugeordnet.

Publikationen

Dieses Projekt hat keine Publikationen

Abschlussarbeiten

Dieses Projekt hat keine Abschlussarbeiten