Implantation von Ni Ionen zur Erzeugung neuartiger Defekte in Diamant

Im Rahmen dieses Projekts sollen durch Implantation von Ni Ionen in hochreinen und p-dotierten synthetischen Diamant ein neuartiger inversions-symmetrischer Nickeldefekt, das sogenannte Nickel-Fehlstellen-Farbzentrum (NiV), erzeugt werden, welcher bislang nicht im detail untersucht wurde. Theoretische Berechnungen und erste Experimente suggerieren, dass das NiV elektronische Eigenschaften aufweist, die besser als die der bislang im Detail untersuchten Farbzentren (z.B. NV und SiV) sein könnten. Der Defekt könnte daher von großem Interesse z.B. für Anwendungen im Bereich der Quantentechnologien sein. Wir werden die am RUBION implantieren Proben nutzen um optische Spektroskopie mit hoher Auflösung an Ensembles und einzelnen NiV Defekten durchzuführen um die theoretisch vorhergesagte elektronische Struktur des Defekts zu validieren.

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